隨著NVIDIA新一代顯示架構「Blackwell」推出,SK海力士、美光介紹其HBM3e高密度記憶體特性

隨著NVIDIA揭曉代號「Blackwell」的新一代顯示架構,包含SK海力士 (SK hynix)、美光也各自介紹其HBM3e高密度記憶體特性,並且強調對應高效能人工智慧應用。

隨著NVIDIA新一代顯示架構「Blackwell」推出,SK海力士、美光介紹其HBM3e高密度記憶體特性
隨著NVIDIA新一代顯示架構「Blackwell」推出,SK海力士、美光介紹其HBM3e高密度記憶體特性

SK海力士表示,其HBM3e高密度記憶體已經開始量產,預計從3月下旬開始對外供貨,同時藉由大量迴焊模塑封裝 (MR-MUF)技術讓記憶體散熱效率提高10%。

運作效率方面,SK海力士說明其HBM3e高密度記憶體每秒可處理1.18TB資料量,並且能在1秒內傳輸230部Full HD畫質電影。

隨著NVIDIA新一代顯示架構「Blackwell」推出,SK海力士、美光介紹其HBM3e高密度記憶體特性
隨著NVIDIA新一代顯示架構「Blackwell」推出,SK海力士、美光介紹其HBM3e高密度記憶體特性

而美光則說明其以8層堆疊設計的24GB容量HBM3e高密度記憶體,將隨著NVIDIA H200 GPU於今年第二季出貨,而在此次GTC 2024期間則是展示其12層堆疊設計的36GB HBM3e高密度記憶體。

另外,美光也展示可用於「Grace」CPU的LPDDR5X記憶體,並且透過LPCAMM2記憶體模組對應人工智慧運算需求。

至於同樣提供HBM3e高密度記憶體的三星,則是預計在今年上半年進行量產,並且採12層堆疊設計,容量也提升至36GB。

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