為實現更高能源轉換效率,英飛凌宣布推出新一代碳化矽(SiC)MOSFET溝槽式技術。與上一代產品相比,英飛凌全新的CoolSiC MOSFET Generation 2(G2)技術在確保品質和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高20%,不僅提升整體能效,更進一步推動低碳化進程。
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IC 設計廠廣閎科 (6693-TW) 今 (28) 日舉辦法說會,董事長林明璋表示,今年在伺服器散熱相關晶片成長帶動下,抵銷消費性電子與家電疲弱影響,營收大致持平至小幅成長,且隨著新品量產及庫存調整因素淡化,毛利率也會同步改善。