Intel宣布率先完成ASML新一代High NA EUA微影設備組裝，將協助Intel自18A後至2030持續推展製程技術

Intel宣布在美國俄勒岡希爾斯伯勒的研發中心率先完成全球首款商用高數值孔徑極紫外光微影設備(HIGH NA EUA)設備組裝，此HIGH NA EUA為微影技術領導商ASML的TWINSCAN EXE:500 HINA EUV，目前機台正著手進行多項校準步驟，預期2027年啟用，並率先導入Intel 14A製程，可明顯提升下世代處理器的圖像解析與尺寸縮放，協助Intel在18A後至20230年持續推展製程技術。

Intel也率先公布購買下一代的TWINSCAN EXE:5200 HIGH NA EUV系統，將能使產能達到每小時超過200片晶圓，也成為首家部署該系統的使用者。

HIGH NA EUV是新世代極紫外光微影技術，使用人工13.5nm光波長，利用強大雷射光束照射加熱至將近攝氏22萬度的錫滴產生，高出太陽表面平均溫度40倍。光束從含電路圖案模板的光罩中反射，再穿過高精度鏡組構成的先進光學系統。同時HIGH EUV也需結合全新電晶體結構與相關製程步驟，故Intel在迎接首台HIGH NA EUV設備的同時也積極開發相關技術。

TWINSCAN EXE:5000系統總重超過5,000噸，預先分裝在250多個貨箱後，集中裝入43個貨櫃，再由多架貨機運送至西雅圖，最後利用20輛卡車運送到俄勒岡州進行安裝。俄勒岡的研發中心是Intel製程技術與研發核心，在2022年啟用Mod 3廠房，投資超過30億美金擴建D1X工廠，新增27萬平方公尺的無塵室空間。

ASML近期甫宣布於荷蘭費爾德霍芬總部的高數值孔徑實驗室首次列印10nm的高密度線路，也創下EUV微影設備解析度的新技術，並使合作夥伴蔡司ZEISS於HIGH NA EUV微影設備的光學設計獲得驗證；在研發人員初步校準設備光學元件、感測器與平台後，驗證新一代HIGH NA EUV機台與技術於完整運作奠定基礎。

Intel預期結合其製程技術與HIGH NA EUV，列印尺寸將比現行EUV機台縮減1.7倍，並由於2D尺寸縮小，密度將提高2.9倍，透過更小、更密集的圖案化技術，進一步延續摩爾定律；相較0.33數值孔徑的EUV微影設備，HIGH NA EUV可為類似的晶圓尺寸提供更高的成像對比度，並可減少每次曝光所需的進光，能使每層列印時間縮減、提高產能。

Intel計畫在2025年的Intel 18A產品驗證與Intel 14A產品量產分別使用0.33與0.55數值孔徑的EUV微影設備，結合其他先進微影製程技術推進先進晶片開發與製造，同時改善先進製程技術成本與效能。

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